1919年3月15日生于江苏苏州。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位，1949年获博士学位。历任中国科学院半导体研究所研究员、半导体研究室主任、微电子中心名誉主任。中国电子学会常务理事，中国物理学会常务理事，北京物理学会副理事长，中国电子学会半导体与集成技术学会主任委员兼《半导体学报》主编。1980年当选为中国科学院学部委员（院士）。2014年7月30日在美国逝世，享年95岁。

曾任中国科学院半导体研究所研究员、微电子中心名誉主任。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起，在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中，提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究，解决了一系列技术难题，使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高，成本大为降低。

1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起，在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中，提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究，解决了一系列技术难题，使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高，成本大为降低。